Halbleiterbauelement und Verfahren zu deren Herstellung, Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Films mit hoher Dielektrizitätskonstante
EP1548839
Art A1
29. Juni 2005
Anmelder: NEC Electronics Corporation, Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1548839
- Aktenzeichen
- EP04006409
- Anmeldetag
- 17. März 2004
- Veröffentlichung
- 29. Juni 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/51H01L21/28H01L21/316
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NEC Electronics Corporation
Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
NEC
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.
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Hofer, Dorothea
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