Dünnschicht aus Siliziumnitrid für optisches Bauelement und Herstellungsverfahren derselben

EP1548904 Art B1 18. Oktober 2006

Anmelder: Electronics and Telecommunications Research Institute, ELECTRONICS AND TELECOMMUNICATIONS RESEARCH INSTITUTE 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1548904
Aktenzeichen: EP04018719
Anmeldetag: 6. August 2004
Veröffentlichung: 18. Oktober 2006
Erteilung: 18. Oktober 2006
Rechtsraum: EP
IPC: H01S3/063

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Electronics and Telecommunications Research Institute
ELECTRONICS AND TELECOMMUNICATIONS RESEARCH INSTITUTE
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 ETRI (Electronics and Telecommunications Research Institute)

Südkoreanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Daejeon. Forscht in Telekommunikation, Halbleitertechnik, künstlicher Intelligenz, Rundfunktechnik und Informations- und Kommunikationstechnologien.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von