Feldeffekttransistor mit Lokaler Source-/drainisolation sowie Zugehöriges Herstellungsverfahren
EP1550154
Art B1
18. Februar 2015
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1550154
- Aktenzeichen
- EP03750362
- Anmeldetag
- 19. September 2003
- Veröffentlichung
- 18. Februar 2015
- Erteilung
- 18. Februar 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L29/06H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
4.872 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kindermann, Peter
Baldham, Deutschland
362
Patente gesamt
27
Fachgebiete
14
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Kindermann, Peter, Dipl.-Ing
NoneGrasbrunn