Herstellungsverfahren für einen Ausgeheizten Wafer
EP1551058
Art B1
2. November 2011
Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd., Shin-Etsu Handotai Co., Ltd 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1551058
- Aktenzeichen
- EP03807977
- Anmeldetag
- 29. September 2003
- Veröffentlichung
- 2. November 2011
- Erteilung
- 2. November 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/322C30B29/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
Shin-Etsu Handotai Co., Ltd - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Handotai
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
1.022 Patente in unserer Datenbank