Halbleiterbauelement mit Silizium unter Zugspannung durch Einwirkung von Druckspannungausübenden Material in einer Vergrabenen Oxidschicht
EP1552554
Art A2
13. Juli 2005
Anmelder: Globalfoundries Inc., GlobalFoundries, Inc., ADVANCED MICRO DEVICES INC. 🇰🇾
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1552554
- Aktenzeichen
- EP03799836
- Anmeldetag
- 14. Oktober 2003
- Veröffentlichung
- 13. Juli 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Globalfoundries Inc.
GlobalFoundries, Inc.
ADVANCED MICRO DEVICES INC. - Land
- 🇰🇾 KY
🇺🇸
Advanced Micro Devices
US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.
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Vertreten von
Picker, Madeline Margaret
London, Großbritannien
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