Herstellungsverfahren F R einen D Nnfilm-Kristallwafer, Halbleitereinrichtung damit und Herstellungsverfahren Daf R
EP1553618
Art A1
13. Juli 2005
Anmelder: Sumitomo Chemical Company, Limited 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1553618
- Aktenzeichen
- EP03751458
- Anmeldetag
- 10. Oktober 2003
- Veröffentlichung
- 13. Juli 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/28
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sumitomo Chemical Company, Limited
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Chemical
Japanischer Chemiekonzern mit Sitz in Tokio, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Petrochemie, Agrochemie, Pharmazeutika, Elektronikmaterialien, Energiematerialien und Kunststoffen.
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Vertreten von
Nicholls, Michael John
London, Großbritannien
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