Methode zur Herstellung einer Kontaktstruktur
EP1553625
Art B1
7. Mai 2014
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1553625
- Aktenzeichen
- EP04000444
- Anmeldetag
- 12. Januar 2004
- Veröffentlichung
- 7. Mai 2014
- Erteilung
- 7. Mai 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/768H01L23/48H01L23/498
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Fachgebiete
Kanzlei
Schoppe, Zimmermann, Stöckeler
München, Deutschland
Schoppe, Zimmermann, Stöckeler, Zinkler, Schenk & Partner mbB berät von München aus Unternehmen und Forschungseinrichtungen aus aller Welt, mit technischem Schwerpunkt auf Audio- und Videokodierung, Mobilfunk, künstlicher Intelligenz und Halbleitertechnik.
11.446
Patente gesamt
9
Patentanwälte
1
Standorte
Weitere Vertreter
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Schoppe, Fritz
NonePullach
-
Schoppe, Fritz, Dipl.-Ing
NoneMünchen