Nitridierte STI-Oxidtrennschicht zum reduzierten Einfluss von Ecken auf die Leistung von vertikalen Vorrichtungen
EP1553631
Art A3
7. Oktober 2009
Anmelder: International Business Machines Corporation, Infineon Technologies AG 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1553631
- Aktenzeichen
- EP05250031
- Anmeldetag
- 6. Januar 2005
- Veröffentlichung
- 7. Oktober 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/108H01L21/762H01L21/8242
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- International Business Machines Corporation
Infineon Technologies AG - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
IBM
US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.
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🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Fachgebiete
Vertreten von
Burt, Roger James
Winchester, Großbritannien
204
Patente gesamt
18
Fachgebiete
5
Anmelder-Länder
Schwerpunkte