Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren dafür
EP1554757
Art B1
6. Juni 2012
Anmelder: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD., SEL SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1554757
- Aktenzeichen
- EP03751459
- Anmeldetag
- 10. Oktober 2003
- Veröffentlichung
- 6. Juni 2012
- Erteilung
- 6. Juni 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/12H01L29/786H01L21/336H01L21/77H01L27/32H01L51/52H01L51/00H01L51/56
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
SEL SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Semiconductor Energy Laboratory
Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.
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