Verfahren zur Herstellung einer nichtflüchtigen Halbleiterspeichervorrichtung
EP1555693
Art B1
6. August 2008
Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1555693
- Aktenzeichen
- EP05250075
- Anmeldetag
- 10. Januar 2005
- Veröffentlichung
- 6. August 2008
- Erteilung
- 6. August 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/24
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sharp Kabushiki Kaisha
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sharp
Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.
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Brown, Kenneth Richard
London, Großbritannien
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