Herstellungsverfahren einer nitriden Halbleiterlaserdiode

EP1555732 Art B1 30. März 2016

Anmelder: LG Electronics, Inc., LG ELECTRONICS INC. 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1555732
Aktenzeichen
EP05000651
Anmeldetag
14. Januar 2005
Veröffentlichung
30. März 2016
Erteilung
30. März 2016
Rechtsraum
EP
IPC
H01S5/343
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
LG Electronics, Inc.
LG ELECTRONICS INC.
Land
🇰🇷 Südkorea
🇰🇷 LG Electronics

Südkoreanischer Elektronikkonzern der LG-Gruppe. Entwickelt und produziert Haushaltsgeräte, Fernseher, Klimaanlagen, Mobilgeräte sowie Komponenten für Fahrzeuge und Kommunikationstechnik.

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Kanzlei
Meissner Bolte Patentanwälte Bremen, Deutschland

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