Herstellungsverfahren einer nitriden Halbleiterlaserdiode
EP1555732
Art B1
30. März 2016
Anmelder: LG Electronics, Inc., LG ELECTRONICS INC. 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1555732
- Aktenzeichen
- EP05000651
- Anmeldetag
- 14. Januar 2005
- Veröffentlichung
- 30. März 2016
- Erteilung
- 30. März 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01S5/343
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- LG Electronics, Inc.
LG ELECTRONICS INC. - Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
LG Electronics
Südkoreanischer Elektronikkonzern der LG-Gruppe. Entwickelt und produziert Haushaltsgeräte, Fernseher, Klimaanlagen, Mobilgeräte sowie Komponenten für Fahrzeuge und Kommunikationstechnik.
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Fachgebiete
Kanzlei
Meissner Bolte Patentanwälte
Bremen, Deutschland
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Sajda, Wolf E
Meissner Bolte Patentanwälte · München
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Sajda, Wolf E., Dipl.-Phys
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