Atomschichtenabscheidungsverfahren und Vorrichtung
EP1556886
Art B1
1. April 2009
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1556886
- Aktenzeichen
- EP03808098
- Anmeldetag
- 26. September 2003
- Veröffentlichung
- 1. April 2009
- Erteilung
- 1. April 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/00H01L21/316C23C16/455
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
3.194 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Hackett, Sean James
Birmingham, Großbritannien
646
Patente gesamt
33
Fachgebiete
22
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Schwerpunkte