Stickstoff-Oxidierung der Geätzten Mos-Gate-Struktur
EP1556887
Art B1
16. April 2008
Anmelder: Spansion LLC, Spansion, Inc, ADVANCED MICRO DEVICES INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1556887
- Aktenzeichen
- EP03741930
- Anmeldetag
- 10. Juni 2003
- Veröffentlichung
- 16. April 2008
- Erteilung
- 16. April 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/28H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Spansion LLC
Spansion, Inc
ADVANCED MICRO DEVICES INC. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Advanced Micro Devices
US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.
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Fachgebiete
Vertreten von
Picker, Madeline Margaret
London, Großbritannien
951
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