Verfahren zur Bildung einer Seichten Grabenisolationsstruktur in einem Halbleiterbauelement
EP1556891
Art A1
27. Juli 2005
Anmelder: ATMEL CORPORATION 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1556891
- Aktenzeichen
- EP03749561
- Anmeldetag
- 9. September 2003
- Veröffentlichung
- 27. Juli 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/76H01L21/302H01L21/461H01L21/8247
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ATMEL CORPORATION
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Atmel
Atmel war ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller für Mikrocontroller und wurde 2016 von Microchip Technology übernommen. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Software und Datenverarbeitung sowie Halbleiterbauelemente, ergänzt um Datenspeicherung und Elektronik. Anmeldungen liegen im Zeitraum 2000 bis 2021.
492 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Käck, Jürgen
Landsberg am Lech, Deutschland
814
Patente gesamt
32
Fachgebiete
17
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Käck, Jürgen, Dipl.-Ing
NoneLandsberg