Verfahren zur Herstellung einer Transistorstruktur
EP1556892
Art A1
27. Juli 2005
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1556892
- Aktenzeichen
- EP03775086
- Anmeldetag
- 24. Oktober 2003
- Veröffentlichung
- 27. Juli 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8222H01L27/082H01L29/08H01L21/331
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
4.937 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kindermann, Peter
Baldham, Deutschland
362
Patente gesamt
27
Fachgebiete
14
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Karl, Frank
NoneBaldham