Verfahren zur Herstellung eines Substrats aus GaN-Kristall

EP1557487 Art B1 9. März 2011

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd., SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, Ltd 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1557487
Aktenzeichen: EP05000403
Anmeldetag: 11. Januar 2005
Veröffentlichung: 9. März 2011
Erteilung: 9. März 2011
Rechtsraum: EP
IPC: C30B29/40C30B25/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, Ltd
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von