Zn-Halbleiterlichtemissions Einrichtung und Verfahren zu Ihrer Herstellung
EP1557889
Art A1
27. Juli 2005
Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd., Shin-Etsu Handotai Co., Ltd 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1557889
- Aktenzeichen
- EP03770015
- Anmeldetag
- 30. Oktober 2003
- Veröffentlichung
- 27. Juli 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L33/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
Shin-Etsu Handotai Co., Ltd - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Handotai
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
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Vertreten von
Whalley, Kevin
London, Großbritannien
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