Verfahren zum Ablösen eines Dünnen Films bei Moderater Temperatur nach Koimplantation
Anmelder: Soitec, Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives, S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies, Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives, COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1559139
- Aktenzeichen
- EP03795839
- Anmeldetag
- 30. Oktober 2003
- Veröffentlichung
- 29. Mai 2013
- Erteilung
- 29. Mai 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762
Abstract
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Anmelder
- Firmen
- Soitec
Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE - Land
- 🇫🇷 Frankreich
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.
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Fachgebiete
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Regimbeau
Regimbeau · Rennes
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Gauchet, Fabien Roland
Brandon IP · Paris
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Quantin, Bruno Marie Henri
NoneParis