Eintransistor-Dram-Zellenstruktur und Herstellungsverfahren
EP1559141
Art A1
3. August 2005
Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1559141
- Aktenzeichen
- EP03811213
- Anmeldetag
- 28. August 2003
- Veröffentlichung
- 3. August 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/10H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Freescale Semiconductor, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
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Vertreten von
Wray, Antony John
Basingstoke, Großbritannien
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