Verfahren zur Bearbeitung von Nitrid-Halbleiterkristalloberflûchen und aus Diesem Verfahren Gewonnener Nitrid-Halbleiterkristall

EP1560261 Art A1 3. August 2005

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd., Mori, Yusuke 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1560261
Aktenzeichen: EP04735986
Anmeldetag: 3. Juni 2004
Veröffentlichung: 3. August 2005
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/306C30B33/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Mori, Yusuke
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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