Feldeffekttransistorstruktur, Zugehörige Halbleiter-Speicherzelle sowie Zugehöriges Herstellungsverfahren
EP1563542
Art B1
23. Dezember 2009
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1563542
- Aktenzeichen
- EP03779692
- Anmeldetag
- 12. November 2003
- Veröffentlichung
- 23. Dezember 2009
- Erteilung
- 23. Dezember 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/02H01L27/102H01L29/10H01L21/8242H01L27/108
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Fachgebiete
Vertreten von
Kindermann, Peter
Baldham, Deutschland
362
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Kindermann, Peter, Dipl.-Ing
NoneGrasbrunn