Geerdete Gateelektrode und Isolationstechniken für Reduzierte Dunkelströme in Cmos-Bildsensoren
EP1563544
Art A1
17. August 2005
Anmelder: Aptina Imaging Corporation, MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇰🇾
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1563544
- Aktenzeichen
- EP03786643
- Anmeldetag
- 12. November 2003
- Veröffentlichung
- 17. August 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/146H01L27/148
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Aptina Imaging Corporation
MICRON TECHNOLOGY, INC. - Land
- 🇰🇾 KY
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Fachgebiete
Vertreten von
Collins, John David
London, Großbritannien
1.014
Patente gesamt
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