Geerdete Gateelektrode und Isolationstechniken für Reduzierte Dunkelströme in Cmos-Bildsensoren

EP1563544 Art A1 17. August 2005

Anmelder: Aptina Imaging Corporation, MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇰🇾

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1563544
Aktenzeichen
EP03786643
Anmeldetag
12. November 2003
Veröffentlichung
17. August 2005
Rechtsraum
EP
IPC
H01L27/146H01L27/148
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
Aptina Imaging Corporation
MICRON TECHNOLOGY, INC.
Land
🇰🇾 KY
🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

5.073 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen