Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren dafür

EP1564810 Art B1 11. Januar 2017

Anmelder: SANYO ELECTRIC CO., LTD., Kabushiki Kaisha Toshiba, Fujitsu Semiconductor Limited, NEC Corporation, Sanyo Electric Co., Ltd., Fujitsu Microelectronics Limited, NEC CORPORATION, FUJITSU LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1564810
Aktenzeichen: EP05002897
Anmeldetag: 11. Februar 2005
Veröffentlichung: 11. Januar 2017
Erteilung: 11. Januar 2017
Rechtsraum: EP
IPC: H01L23/48H01L21/768H01L21/60H01L23/31

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: SANYO ELECTRIC CO., LTD.
Kabushiki Kaisha Toshiba
Fujitsu Semiconductor Limited
NEC Corporation
Sanyo Electric Co., Ltd.
Fujitsu Microelectronics Limited
NEC CORPORATION
FUJITSU LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sanyo Electric

Ehemaliger japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Osaka, seit 2011 Teil des Panasonic-Konzerns. Sanyo war aktiv in Unterhaltungselektronik, Halbleitern, Batterietechnik und Solartechnologie.

1.709 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

5.205 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 NEC

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.

19.509 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Fujitsu

Japanisches Unternehmen für Informationstechnik, das Computer, Server, Netzwerktechnik sowie IT-Dienstleistungen und Softwarelösungen entwickelt und anbietet.

9.047 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von