Verfahren zur Herstellung von N-Typ-Diamant mit Hoher Elektrischer Leitfähigkeit
EP1568072
Art A1
31. August 2005
Anmelder: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE -CNRS-, Université de Versailles Saint-Quentin-en-Yvelines, CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1568072
- Aktenzeichen
- EP03796163
- Anmeldetag
- 4. Dezember 2003
- Veröffentlichung
- 31. August 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/04H01L21/223H01L21/205C30B29/04
Abstract
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Anmelder
- Firmen
- CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE -CNRS-
Université de Versailles Saint-Quentin-en-Yvelines
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
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