Quaternäre und Ternäre Legierungen Enthaltende Pufferschicht in Halbleitervorrichtungen

EP1568082 Art B1 18. Januar 2017

Anmelder: RAYTHEON COMPANY 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1568082
Aktenzeichen
EP03768763
Anmeldetag
7. November 2003
Veröffentlichung
18. Januar 2017
Erteilung
18. Januar 2017
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/02H01L29/00
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
RAYTHEON COMPANY
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

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