Herstellungsverfahren eines Substrates

EP1571241 Art A1 7. September 2005

Anmelder: Soitec, S.O.I.T.E.C. Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1571241
Aktenzeichen: EP04290547
Anmeldetag: 1. März 2004
Veröffentlichung: 7. September 2005
Rechtsraum: EP
IPC: C30B25/18H01L21/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Soitec
S.O.I.T.E.C. Silicon on Insulator Technologies
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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