Herstellung von Substratwafern für defektarme Halbleiterbauteile, ihre Verwendung, sowie damit erhaltene Bauteile
EP1571242
Art A3
4. März 2009
Anmelder: Schott AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1571242
- Aktenzeichen
- EP05004483
- Anmeldetag
- 1. März 2005
- Veröffentlichung
- 4. März 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B33/02C30B29/20C30B33/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Schott AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
SCHOTT
Deutsches Technologieunternehmen mit Sitz in Mainz, spezialisiert auf Spezialglas und Glaskeramik für Pharma-, Optik-, Elektronik- und Haushaltsanwendungen.
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Fachgebiete
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Fuchs Mehler Weiss & Fritzsche · Wiesbaden