Speicherbaustein und Verfahren mit Betriebsart mit Niedrigerstromaufnahme und Hoher Schreiblatenz und Betriebsart mit Hoher Stromaufnahmeund Niedriger Schreiblatenz Und/oder mit Unabhängig Wählbarer Schreiblatenz

EP1573270 Art A2 14. September 2005

Anmelder: Micron Technology, Inc., MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1573270
Aktenzeichen: EP03812914
Anmeldetag: 9. Dezember 2003
Veröffentlichung: 14. September 2005
Rechtsraum: EP
IPC: G01C3/00G11C7/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Micron Technology, Inc.
MICRON TECHNOLOGY, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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