Mram-Architektur mit Elektrisch Isolierten Lese-Schreib-Schaltkreisen
EP1573743
Art B1
3. Dezember 2008
Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1573743
- Aktenzeichen
- EP03726492
- Anmeldetag
- 29. April 2003
- Veröffentlichung
- 3. Dezember 2008
- Erteilung
- 3. Dezember 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C11/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Freescale Semiconductor, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
2.413 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Wray, Antony John
Basingstoke, Großbritannien
604
Patente gesamt
24
Fachgebiete
10
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Ferro, Frodo Nunes
NoneToulouse