Hochdruckverarbeitungskammer für ein Halbleitersubstrat mit Strömungsverbesserungsmerkmalen
EP1573779
Art A2
14. September 2005
Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1573779
- Aktenzeichen
- EP02721721
- Anmeldetag
- 10. April 2002
- Veröffentlichung
- 14. September 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/00B08B3/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- TOKYO ELECTRON LIMITED
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tokyo Electron
Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.
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Boehmert & Boehmert
München, Deutschland
Boehmert & Boehmert geht auf die Zulassung von Dr. Karl Boehmert 1931 in Berlin zurück. Mit Standorten in Deutschland, Alicante, Paris und Shanghai bietet die Kanzlei IP aus einer Hand und legt besonderen Wert auf persönliche Mandantenbetreuung statt Anonymität.
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