Transistor mit Vertikal Isoliertem Gate und Herstellungsverfahren
EP1573824
Art B1
28. März 2012
Anmelder: NXP B.V., Koninklijke Philips Electronics, N.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1573824
- Aktenzeichen
- EP03813280
- Anmeldetag
- 8. Dezember 2003
- Veröffentlichung
- 28. März 2012
- Erteilung
- 28. März 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L29/423H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NXP B.V.
Koninklijke Philips Electronics, N.V. - Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.929 Patente in unserer Datenbank
🇳🇱
Philips
Niederländisches Technologieunternehmen mit Sitz in Amsterdam, spezialisiert auf Medizintechnik, Diagnosegeräte, Patientenüberwachung sowie Gesundheits- und Wellnessprodukte.
45.068 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Williamson, Paul Lewis
Eindhoven, Niederlande
1.451
Patente gesamt
19
Fachgebiete
11
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
White, Andrew Gordon
NoneEindhoven
-
Picker, Madeline Margaret
NoneLondon