Laserdiodenbarren mit Parallel Geschalteter Diode zur Elektrischen Überbrückung des Laserdiodenbarrens im Fehlerfall

EP1576704 Art B1 4. April 2007

Anmelder: OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Osram Opto Semiconductors GmbH 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1576704
Aktenzeichen: EP03785500
Anmeldetag: 6. November 2003
Veröffentlichung: 4. April 2007
Erteilung: 4. April 2007
Rechtsraum: EP
IPC: H01S5/024H01S5/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: OSRAM Opto Semiconductors GmbH
Osram Opto Semiconductors GmbH
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 OSRAM Opto Semiconductors

Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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