N-Halbleiterdiamant mit Geringem Widerstand und Herstellungsverfahren dafür
EP1577425
Art A1
21. September 2005
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1577425
- Aktenzeichen
- EP03781010
- Anmeldetag
- 22. Dezember 2003
- Veröffentlichung
- 21. September 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B29/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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Cross, Rupert Edward Blount
London, Großbritannien
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