Verfahren zur Herstellung eines Halbleiters auf einem SOI-Substrat durch Rekristallisation mittels Festphasenepitaxie (SPER) und damit hergestelltes Halbleiterbauelement
EP1577932
Art A3
10. Mai 2006
Anmelder: IMEC, NXP B.V., Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum, Koninklijke Philips Electronics, N.V. 🇧🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1577932
- Aktenzeichen
- EP05003846
- Anmeldetag
- 23. Februar 2005
- Veröffentlichung
- 10. Mai 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/20H01L21/336H01L21/265
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- IMEC
NXP B.V.
Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum
Koninklijke Philips Electronics, N.V. - Land
- 🇧🇪 Belgien
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.818 Patente in unserer Datenbank
🇳🇱
Philips
Niederländisches Technologieunternehmen mit Sitz in Amsterdam, spezialisiert auf Medizintechnik, Diagnosegeräte, Patientenüberwachung sowie Gesundheits- und Wellnessprodukte.
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Fachgebiete
Vertreten von
Bird, Ariane
Heverlee, Belgien
622
Patente gesamt
31
Fachgebiete
18
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Schwerpunkte