Verfahren zur Herstellung eines einkristallinen GaN-Substrats und so hergestelltes einkristalline GaN-Substrat
EP1577933
Art A3
4. März 2009
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1577933
- Aktenzeichen
- EP05251462
- Anmeldetag
- 10. März 2005
- Veröffentlichung
- 4. März 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B25/18C30B29/40C30B25/02H01L21/205
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
11.182 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Cross, Rupert Edward Blount
London, Großbritannien
2.091
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