Halbleiterbauelement, Integriertes Dram-Schaltungsbauelement und Herstellungsverfahren Daf R

EP1577938 Art A1 21. September 2005

Anmelder: Fujitsu Semiconductor Limited, Fujitsu Microelectronics Limited, FUJITSU LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1577938
Aktenzeichen: EP03768265
Anmeldetag: 25. Dezember 2003
Veröffentlichung: 21. September 2005
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/768H01L27/108H01L21/8242

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Fujitsu Semiconductor Limited
Fujitsu Microelectronics Limited
FUJITSU LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujitsu

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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