Halbleitersubstrat und Herstellungsverfahren dafür, und Halbleiter-Bauelement

EP1577943 Art A3 1. August 2007

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba, KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1577943
Aktenzeichen
EP04011379
Anmeldetag
13. Mai 2004
Veröffentlichung
1. August 2007
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/84H01L27/12H01L21/8238H01L27/092H01L21/762
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
Kabushiki Kaisha Toshiba
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

5.205 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen