Halbleitersubstrat und Herstellungsverfahren dafür, und Halbleiter-Bauelement
EP1577943
Art A3
1. August 2007
Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba, KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1577943
- Aktenzeichen
- EP04011379
- Anmeldetag
- 13. Mai 2004
- Veröffentlichung
- 1. August 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/84H01L27/12H01L21/8238H01L27/092H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Kabushiki Kaisha Toshiba
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Toshiba
Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.
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Fachgebiete
Vertreten von
-
Hoffmann Eitle
Hoffmann Eitle · München