Verfahren zur Herstellung von Justiermarkierungen für Doppel-Gate SOI
EP1577946
Art A3
25. Januar 2006
Anmelder: NXP B.V., IMEC, Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum, Koninklijke Philips Electronics, N.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1577946
- Aktenzeichen
- EP05003845
- Anmeldetag
- 23. Februar 2005
- Veröffentlichung
- 25. Januar 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/544
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NXP B.V.
IMEC
Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum
Koninklijke Philips Electronics, N.V. - Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.818 Patente in unserer Datenbank
🇳🇱
Philips
Niederländisches Technologieunternehmen mit Sitz in Amsterdam, spezialisiert auf Medizintechnik, Diagnosegeräte, Patientenüberwachung sowie Gesundheits- und Wellnessprodukte.
43.499 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Schouten, Marcus Maria
Eindhoven, Niederlande
3.201
Patente gesamt
30
Fachgebiete
16
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Bird, Ariane
NoneHeverlee