Synthetisch Antiferromagnetische Struktur für ein Magnetoelektronisches Gerät
EP1579231
Art B1
2. Mai 2007
Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1579231
- Aktenzeichen
- EP03779374
- Anmeldetag
- 28. Oktober 2003
- Veröffentlichung
- 2. Mai 2007
- Erteilung
- 2. Mai 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G01R33/09G11C11/16H01F10/32
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Freescale Semiconductor, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
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Vertreten von
Wray, Antony John
Basingstoke, Großbritannien
604
Patente gesamt
24
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10
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