Galliumnitridkristall, auf Homoepitaxial-Galliumnitridbasierende Bauelemente und Herstellungsverfahren dafür

EP1579486 Art B1 12. April 2017

Anmelder: Soraa Inc., GENERAL ELECTRIC COMPANY 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1579486
Aktenzeichen
EP03800171
Anmeldetag
22. Dezember 2003
Veröffentlichung
12. April 2017
Erteilung
12. April 2017
Rechtsraum
EP
IPC
C30B7/00C30B25/02H01L29/66H01L29/732H01L29/737H01L29/778H01L33/32H01L29/20C30B29/40H01L21/02
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
Soraa Inc.
GENERAL ELECTRIC COMPANY
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 General Electric

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Massachusetts. Historisch aktiv in Energieerzeugung, Luftfahrttriebwerken, Medizintechnik und Industrietechnik über verschiedene Geschäftsbereiche.

19.762 Patente in unserer Datenbank

Weitere Vertreter

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen