Halbleitersubstrat, Verfahren zur Herstellung einem Halbleitersubstrat und einer Halbleitervorrichtungen
EP1580806
Art B1
5. Oktober 2011
Anmelder: Renesas Electronics Corporation, NEC Electronics Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1580806
- Aktenzeichen
- EP04029452
- Anmeldetag
- 13. Dezember 2004
- Veröffentlichung
- 5. Oktober 2011
- Erteilung
- 5. Oktober 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Renesas Electronics Corporation
NEC Electronics Corporation - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Renesas Electronics
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.
1.103 Patente in unserer Datenbank
🇯🇵
NEC
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.
19.509 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
-
Glawe, Delfs, Moll
Glawe Delfs Moll · Hamburg