Matériau soudé , dispositif semi-conducteur, procédé de soudage tendre et procédé pour la fabrication d'un dispositif semi-conducteur
EP1582287
Art A1
5. Oktober 2005
Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba, KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1582287
- Aktenzeichen
- EP05251136
- Anmeldetag
- 25. Februar 2005
- Veröffentlichung
- 5. Oktober 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- B23K35/26B23K35/00H01L21/60H05K3/34
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Kabushiki Kaisha Toshiba
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Toshiba
Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.
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Vertreten von
Maury, Richard Philip
St. Albans, Großbritannien
1.676
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24
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