Matériau soudé , dispositif semi-conducteur, procédé de soudage tendre et procédé pour la fabrication d'un dispositif semi-conducteur

EP1582287 Art A1 5. Oktober 2005

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba, KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1582287
Aktenzeichen
EP05251136
Anmeldetag
25. Februar 2005
Veröffentlichung
5. Oktober 2005
Rechtsraum
EP
IPC
B23K35/26B23K35/00H01L21/60H05K3/34
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
Kabushiki Kaisha Toshiba
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

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