Ein Heizverfahren und eine Heizvorrichtung in Nahköpfen für die Halbleiterwaferherstellung

EP1583135 Art B1 16. Januar 2008

Anmelder: Lam Research Corporation, Lam Research 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1583135
Aktenzeichen
EP05251719
Anmeldetag
21. März 2005
Veröffentlichung
16. Januar 2008
Erteilung
16. Januar 2008
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/00C23C18/16C25D5/22C25D7/12B08B3/00B08B3/04
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
Lam Research Corporation
Lam Research
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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