Methode zur Herstellung von selbst-justierten Source/Drain-Kontakten in einem Doppel-Gate-FET unter kontrollierter Herstellung eines dünnen Si- oder Nicht-Si-Kanals
Anmelder: IMEC, NXP B.V., Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum, Koninklijke Philips Electronics, N.V. 🇧🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1583143
- Aktenzeichen
- EP05003842
- Anmeldetag
- 23. Februar 2005
- Veröffentlichung
- 5. Oktober 2011
- Erteilung
- 5. Oktober 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- IMEC
NXP B.V.
Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum
Koninklijke Philips Electronics, N.V. - Land
- 🇧🇪 Belgien
Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.
2.615 Patente in unserer Datenbank
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.929 Patente in unserer Datenbank
Niederländisches Technologieunternehmen mit Sitz in Amsterdam, spezialisiert auf Medizintechnik, Diagnosegeräte, Patientenüberwachung sowie Gesundheits- und Wellnessprodukte.
45.068 Patente in unserer Datenbank