Cvd-Verfahren zur Ausbildung eines Siliziumnitridfilms auf einem Zielsubstrat
EP1592051
Art A1
2. November 2005
Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1592051
- Aktenzeichen
- EP04703274
- Anmeldetag
- 19. Januar 2004
- Veröffentlichung
- 2. November 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/318C23C16/34C23C16/46C23C16/455
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- TOKYO ELECTRON LIMITED
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tokyo Electron
Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.
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Vertreten von
Grosse, Rainer
Stuttgart, Deutschland
405
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14
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