Hochspannungsfeldeffekttransistor und Verfahren zu dessen Herstellung
EP1592069
Art A3
23. April 2008
Anmelder: TEXAS INSTRUMENTS INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1592069
- Aktenzeichen
- EP05103346
- Anmeldetag
- 25. April 2005
- Veröffentlichung
- 23. April 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L29/08H01L29/36H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- TEXAS INSTRUMENTS INC.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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Holt, Michael
Northampton, Großbritannien
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