Härtungsverfahren mit Fluorfreiem Plasma für Poröse Materialien mit Niedriger Dielektrizitätskonstante (low-K)
Anmelder: Axcelis Technologies, Inc., JSR Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1593149
- Aktenzeichen
- EP04702978
- Anmeldetag
- 16. Januar 2004
- Veröffentlichung
- 9. November 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/3065H01B3/46C04B41/91B29C59/14B32B3/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Axcelis Technologies, Inc.
JSR Corporation - Land
- 🇺🇸 USA
Axcelis Technologies, Inc. ist ein US-amerikanischer Hersteller von Ionenimplantationsanlagen für die Halbleiterfertigung mit Sitz in Beverly, Massachusetts. Das Patentportfolio ist fast vollständig auf Halbleiter und elektrische Bauelemente konzentriert, ergänzt um Oberflächentechnik und Mess- und Prüftechnik. Das Unternehmen meldet durchgehend seit 2000 an.
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JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.
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