Trigate und Gate-All-Around Mosfet-Bauelemente und Zugehörige Herstellungsverfahren

EP1593150 Art B1 8. August 2007

Anmelder: ADVANCED MICRO DEVICES, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1593150
Aktenzeichen
EP04702508
Anmeldetag
15. Januar 2004
Veröffentlichung
8. August 2007
Erteilung
8. August 2007
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/336H01L29/786H01L29/423
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Advanced Micro Devices

US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.

2.407 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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