Halbleitende Struktur auf einem Substrat mit Starker Rauheit
EP1593152
Art B1
25. Januar 2012
Anmelder: Soitec, S.O.I.Tec Silicon Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1593152
- Aktenzeichen
- EP04710053
- Anmeldetag
- 11. Februar 2004
- Veröffentlichung
- 25. Januar 2012
- Erteilung
- 25. Januar 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762H01L21/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Soitec
S.O.I.Tec Silicon Insulator Technologies - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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Desormiere, Pierre-Louis
Paris, Frankreich
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