Verfahren zur Herstellung Eineshalbleiterbauelements mit Mos-Transistoren mit Gate-Elektroden, die in Einempaket von Aufeinander Abgelagerten Metallschichten Ausgebildet Sind
Anmelder: NXP B.V., IMEC, INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM VZW, Koninklijke Philips Electronics, N.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1593154
- Aktenzeichen
- EP04702397
- Anmeldetag
- 15. Januar 2004
- Veröffentlichung
- 20. Juli 2011
- Erteilung
- 20. Juli 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8234H01L21/28H01L29/49
Abstract
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Anmelder
- Firmen
- NXP B.V.
IMEC
INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM VZW
Koninklijke Philips Electronics, N.V. - Land
- 🇳🇱 Niederlande
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.
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Niederländisches Technologieunternehmen mit Sitz in Amsterdam, spezialisiert auf Medizintechnik, Diagnosegeräte, Patientenüberwachung sowie Gesundheits- und Wellnessprodukte.
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Fachgebiete
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White, Andrew Gordon
NoneEindhoven
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Eleveld, Koop Jan
NoneEindhoven